英特爾 14A 工藝:效能與效率並重
據來自SPIE 2024會議的訊息透露,英特爾高階副總裁安妮・凱萊赫(Anne Kelleher)表示,英特爾的最新14A工藝將在效能與功耗比方面邁出重要一步。相比於之前的18A工藝,14A工藝的效能功耗比將提高15%,而14A-E工藝則額外提升了5%。這意味著英特爾正持續最佳化其工藝技術,為未來晶片的表現帶來更多潛力。
技術革新:High-NA EUV光刻技術的應用
凱萊赫指出,英特爾14A工藝率先採用了High-NA EUV光刻技術,這一技術的運用使得電晶體邏輯密度相比於18A工藝提升了整整20%。這意味著在同樣面積內,14A工藝可以容納更多的電晶體,提升了晶片的效能和效率。這種技術革新的引入,標誌著英特爾在工藝製程上的持續前進。
IDM 2.0 戰略:超越與領先
作為一家全球領先的半導體公司,英特爾正在積極推進其旗艦的IDM 2.0戰略。公司希望在2030年之前超越自我,奪回代工行業的領先地位。據悉,目前英特爾的總訂單規模已超過150億美元,這顯示了市場對英特爾技術和產品的強大信心。重要的是,英特爾已經與微軟公司達成合作協議,未來將採用18A工藝為其生產晶片,這一合作必將為雙方帶來更為緊密的合作與共贏。
英特爾一直致力於技術創新與產業領先,14A工藝的釋出和持續最佳化,將為我們帶來更強大、更高效的晶片產品。在未來的發展中,我們期待看到英特爾在半導體領域持續發力,為全球科技進步做出更多貢獻。