英特爾計劃奪回工藝領先地位,挑戰臺積電和三星代工
近日,執行長帕特·基辛格表示,英特爾(Intel)計劃在2025年之前重新奪回工藝領先地位,將工藝代工從臺積電(TSMC)和三星代工中取回。這一舉措旨在在代工領域挑戰臺積電和三星代工,兩家目前正在推出3奈米晶片,並計劃在明年下半年量產2奈米晶片。
根據Motley Fool的報道,英特爾計劃於今年晚些時候推出基於20A工藝的Arrow Lake PC晶片。這一工藝相當於臺積電和三星代工的2奈米工藝。預計到明年,英特爾將推出18A工藝節點,與臺積電和三星代工的1.8奈米相媲美。
隨著工藝節點的不斷縮小,晶片中使用的電晶體尺寸變得越來越小。這意味著在同樣大小的晶片內可以容納更多的電晶體,從而提升晶片的效能和功耗效率。英特爾將利用美國晶片製造商的PowerVia關鍵功能,這一功能也被稱為背面供電技術,在工藝方面領先臺積電和三星代工。
PowerVia技術的核心是將晶片供電電線移到晶片背面,避免頂部電線與元件連線電線的競爭,從而提高效能。英特爾還表示,使用18A工藝節點構建的低功耗SoC將授予Arm的晶片設計客戶。
另外,英特爾還宣佈與微軟合作,將使用18A工藝為微軟定製晶片。四家大公司已同意讓英特爾使用18A工藝生產其晶片,其中包括微軟。英特爾對其18A工藝節點的效能和效率寄予厚望,預計超過臺積電。
總的來說,英特爾正全力以赴重新奪回工藝領先地位,與臺積電和三星代工展開激烈競爭。透過不斷創新和引入新技術,英特爾勢必在未來取得更大突破,為消費者帶來更強大和高效的晶片產品。