三星電子對外宣佈有關其高頻寬記憶體(HBM)技術的宣告
最近有報道稱,三星電子將引入模製底部填充(MUF)工藝以製造最新的HBM,這引發了業界的關注。然而,三星電子對此進行了明確的澄清,表示這些報道並不準確。
三星電子的宣告與實際情況
根據訊息人士透露,三星電子並未計劃在HBM中使用MUF技術。實際上,三星一直致力於在DRAM之間採用非導電粘合膜(NCF)的工藝,這是他們目前的生產方法。
對比SK海力士的技術和三星電子的反駁
SK海力士採用的是大規模迴流成型底部填充(MR-MUF)技術,以提高HBM的生產效率和可靠性。儘管有人認為三星可能引入MUF工藝,但實際情況並非如此。
三星電子的未來計劃
三星電子的發言人表示,他們並未計劃將MUF技術應用於HBM,而是將該技術用於伺服器用大容量DRAM。此外,三星還在加大投資力度,並持續推進NCF技術以提高HBM產能和質量。
行業對三星電子的看法
在HBM市場競爭加劇的背景下,三星電子的決策備受關注。雖然有關MUF工藝的討論仍在進行,但業內普遍認為,三星引入MUF技術的可能性較低。
來源:文章由半導體行業觀察(ID:icbank)編寫,感謝zdkorea提供資訊。